Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Length
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 21,15
€ 4,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,23
€ 5,245 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 21,15
€ 4,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,23
€ 5,245 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,23 | € 21,15 |
| 25 - 45 | € 3,89 | € 19,45 |
| 50+ | € 3,60 | € 18,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
DTMOSIV
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
165 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Length
15.94mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


