Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 121,60
€ 6,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 150,78
€ 7,539 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
20
€ 121,60
€ 6,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 150,78
€ 7,539 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Σακούλα |
---|---|---|
20 - 38 | € 6,08 | € 12,16 |
40 - 72 | € 5,43 | € 10,86 |
74 - 148 | € 5,19 | € 10,38 |
150+ | € 5,14 | € 10,28 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος