Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 16,45
€ 3,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,40
€ 4,08 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 16,45
€ 3,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,40
€ 4,08 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,29 | € 16,45 |
25 - 45 | € 2,85 | € 14,25 |
50+ | € 2,66 | € 13,30 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος