Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220SIS
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 12,30
€ 1,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,25
€ 1,525 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 12,30
€ 1,23 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,25
€ 1,525 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,23 | € 12,30 |
| 100 - 190 | € 1,04 | € 10,40 |
| 200 - 360 | € 0,91 | € 9,10 |
| 370 - 740 | € 0,91 | € 9,10 |
| 750+ | € 0,91 | € 9,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220SIS
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


