Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,18
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,463
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
€ 1,18
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,463
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,18 | € 5,90 |
50 - 120 | € 1,11 | € 5,55 |
125 - 245 | € 1,06 | € 5,30 |
250 - 495 | € 0,98 | € 4,90 |
500+ | € 0,91 | € 4,55 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος