Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 43,00
€ 0,86 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 53,32
€ 1,066 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 43,00
€ 0,86 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 53,32
€ 1,066 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,86 | € 43,00 |
| 250 - 450 | € 0,78 | € 39,00 |
| 500 - 1200 | € 0,76 | € 38,00 |
| 1250 - 2450 | € 0,73 | € 36,50 |
| 2500+ | € 0,73 | € 36,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


