Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 261,00
€ 5,22 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 323,64
€ 6,473 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 261,00
€ 5,22 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 323,64
€ 6,473 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 5,22 | € 261,00 |
| 250 - 450 | € 4,78 | € 239,00 |
| 500+ | € 4,44 | € 222,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
230 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


