Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


