Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
74 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
135 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,27
€ 5,27 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,53
€ 6,53 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 5,27
€ 5,27 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,53
€ 6,53 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 5,27 |
10 - 19 | € 3,47 |
20 - 39 | € 3,42 |
40 - 79 | € 3,42 |
80+ | € 3,34 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-3PN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
74 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
135 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος