Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,55
€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,36
€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 7,55
€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,36
€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,51 | € 7,55 |
50 - 120 | € 1,41 | € 7,05 |
125 - 245 | € 1,36 | € 6,80 |
250 - 495 | € 1,25 | € 6,25 |
500+ | € 1,17 | € 5,85 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος