Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 66,50
€ 1,33 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 82,46
€ 1,649 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 66,50
€ 1,33 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 82,46
€ 1,649 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,33 | € 66,50 |
| 250 - 450 | € 1,17 | € 58,50 |
| 500 - 1200 | € 1,15 | € 57,50 |
| 1250+ | € 1,15 | € 57,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


