Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 98,00
€ 1,96 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 121,52
€ 2,43 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 98,00
€ 1,96 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 121,52
€ 2,43 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


