Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,35
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,63
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 5,35
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,63
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,07 | € 5,35 |
| 50 - 95 | € 0,89 | € 4,45 |
| 100 - 245 | € 0,84 | € 4,20 |
| 250 - 495 | € 0,84 | € 4,20 |
| 500+ | € 0,84 | € 4,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


