Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S

Κωδικός Προϊόντος της RS: 896-2401Κατασκευαστής: ToshibaΚωδικός Κατασκευαστή: TK58A06N1,S4X(S
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 5,20

€ 1,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 6,45

€ 1,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S

€ 5,20

€ 1,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 6,45

€ 1,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK58A06N1,S4X(S
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 45€ 1,04€ 5,20
50 - 95€ 0,86€ 4,30
100 - 245€ 0,81€ 4,05
250 - 495€ 0,81€ 4,05
500+€ 0,78€ 3,90

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

58 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

35 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

15mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more