Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 465,30
€ 15,51 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 576,97
€ 19,232 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 465,30
€ 15,51 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 576,97
€ 19,232 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 15,51 | € 465,30 |
| 150 - 270 | € 14,17 | € 425,10 |
| 300+ | € 13,52 | € 405,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


