Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,10
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,04
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 8,10
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,04
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,62 | € 8,10 |
25 - 95 | € 1,44 | € 7,20 |
100 - 245 | € 1,28 | € 6,40 |
250 - 495 | € 1,25 | € 6,25 |
500+ | € 1,23 | € 6,15 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TK
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος