Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Package Type
TO-220SIS
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 138,50
€ 2,77 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 171,74
€ 3,435 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 138,50
€ 2,77 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 171,74
€ 3,435 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,77 | € 138,50 |
| 250 - 450 | € 2,61 | € 130,50 |
| 500+ | € 2,58 | € 129,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Package Type
TO-220SIS
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
130 nC @ 10 V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


