Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
192 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 9,80
€ 1,96 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,15
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 9,80
€ 1,96 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,15
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,96 | € 9,80 |
| 25 - 45 | € 1,20 | € 6,00 |
| 50+ | € 1,12 | € 5,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
192 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.45mm
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


