Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

Κωδικός Προϊόντος της RS: 133-2804Κατασκευαστής: ToshibaΚωδικός Κατασκευαστή: TK8P60W5,RVQ(S
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

6.1mm

Length

6.6mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.3mm

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 11,70

€ 1,17 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 14,51

€ 1,451 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 11,70
20€ 23,40
30€ 35,10
40€ 46,80
50€ 58,50
60€ 70,20
70€ 81,90
80€ 93,60
90€ 105,30
100€ 117,00
110€ 128,70
120€ 140,40
130€ 152,10
140€ 163,80
150€ 175,50

€ 11,70

€ 1,17 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 14,51

€ 1,451 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 11,70
20€ 23,40
30€ 35,10
40€ 46,80
50€ 58,50
60€ 70,20
70€ 81,90
80€ 93,60
90€ 105,30
100€ 117,00
110€ 128,70
120€ 140,40
130€ 152,10
140€ 163,80
150€ 175,50

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

DTMOSIV

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

6.1mm

Length

6.6mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.3mm

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more