Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.1mm
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,80
€ 0,44 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,91
€ 0,546 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
20
€ 8,80
€ 0,44 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,91
€ 0,546 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
U-MOSVIII-H
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.1mm
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


