Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
50 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 10,30
€ 2,06 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,77
€ 2,554 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 10,30
€ 2,06 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,77
€ 2,554 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,06 | € 10,30 |
| 25+ | € 1,78 | € 8,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
50 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


