Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 10,05
€ 2,01 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,46
€ 2,492 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
€ 10,05
€ 2,01 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,46
€ 2,492 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,01 | € 10,05 |
25+ | € 1,72 | € 8,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
10 x 4.5 x 15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος