Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS

Κωδικός Προϊόντος της RS: 144-5244Κατασκευαστής: ToshibaΚωδικός Κατασκευαστή: TTC3710B,S4X(S
brand-logo
View all in Bipolar Transistors

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum DC Current Gain

120

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

NPN Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 1,74

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2,158

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS

€ 1,74

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2,158

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

Toshiba TTC3710B,S4X(S NPN Transistor, 12 A, 80 V, 3-Pin TO-220SIS
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 20€ 1,74€ 8,70
25+€ 1,49€ 7,45

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

30 W

Minimum DC Current Gain

120

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

10 x 4.5 x 15mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

NPN Power Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more