Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Height
15.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.8V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Height
15.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.8V
Λεπτομέρειες Προϊόντος


