E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 178-3901Κατασκευαστής: Vishay SiliconixΚωδικός Κατασκευαστή: SiA106DJ-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 9,10

€ 0,91 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 11,28

€ 1,128 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 9,10
20€ 18,20
30€ 27,30
40€ 36,40
50€ 41,50
60€ 49,80
70€ 58,10
80€ 66,40
90€ 74,70
100€ 81,00
110€ 89,10
120€ 97,20
130€ 105,30
140€ 113,40
150€ 121,50

€ 9,10

€ 0,91 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 11,28

€ 1,128 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 9,10
20€ 18,20
30€ 27,30
40€ 36,40
50€ 41,50
60€ 49,80
70€ 58,10
80€ 66,40
90€ 74,70
100€ 81,00
110€ 89,10
120€ 97,20
130€ 105,30
140€ 113,40
150€ 121,50

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
10 - 40€ 0,91€ 9,10
50 - 90€ 0,83€ 8,30
100 - 490€ 0,81€ 8,10
500 - 990€ 0,76€ 7,60
1000+€ 0,68€ 6,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

19 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.9 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more