Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR188DP-T1-RE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm
Χώρα Προέλευσης
China
€ 13,60
€ 1,36 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,86
€ 1,686 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 13,60
€ 1,36 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,86
€ 1,686 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.6V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm
Χώρα Προέλευσης
China

