Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SiS110DN-T1-GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
24 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.15mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
€ 15,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,60
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 15,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,60
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
24 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
3.15mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China

