Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 SiZ348DT-T1-GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Width
3mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
€ 1.560,00
€ 0,52 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.934,40
€ 0,645 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.560,00
€ 0,52 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.934,40
€ 0,645 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Width
3mm
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V

