N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,43
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,533
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,43
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,533
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China