Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.68 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
SC-70-6L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.020,00
€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.264,80
€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.68 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
TrenchFET
Package Type
SC-70-6L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.2 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China

