P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1.890,00
€ 0,63 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.343,60
€ 0,781 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 1.890,00
€ 0,63 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.343,60
€ 0,781 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China