Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ481EP-T1_GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
€ 2.040,00
€ 0,68 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.529,60
€ 0,843 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 2.040,00
€ 0,68 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.529,60
€ 0,843 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China

