Vishay N-Channel MOSFET, 14 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB IRF644PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

€ 2,79
€ 2,79 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,46
€ 3,46 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 2,79
€ 2,79 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,46
€ 3,46 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 2,79 |
10 - 49 | € 2,40 |
50 - 99 | € 2,30 |
100 - 249 | € 2,19 |
250+ | € 2,06 |

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
