Vishay N-Channel MOSFET, 2 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB IRF710PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,15
€ 1,15 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,43
€ 1,43 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,15
€ 1,15 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,43
€ 1,43 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 1,15 |
10 - 49 | € 1,10 |
50 - 99 | € 0,84 |
100 - 249 | € 0,78 |
250+ | € 0,70 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος