Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB IRF740PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


€ 2,53
€ 2,53 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,14
€ 3,14 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 2,53
€ 2,53 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,14
€ 3,14 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,53 |
| 10 - 49 | € 2,24 |
| 50 - 99 | € 2,19 |
| 100 - 249 | € 2,09 |
| 250+ | € 1,96 |


Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor



