Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 121,50
€ 2,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 150,66
€ 3,013 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
50
€ 121,50
€ 2,43 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 150,66
€ 3,013 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,43 | € 12,15 |
125 - 245 | € 2,35 | € 11,75 |
250 - 495 | € 2,14 | € 10,70 |
500+ | € 2,04 | € 10,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος