Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,14
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,654
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 2,14
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,654
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
10 - 40 | € 2,14 | € 21,40 |
50 - 90 | € 2,12 | € 21,20 |
100 - 240 | € 1,87 | € 18,70 |
250 - 490 | € 1,81 | € 18,10 |
500+ | € 1,49 | € 14,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.41mm
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος