Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 27,70
€ 2,77 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 34,35
€ 3,435 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 27,70
€ 2,77 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 34,35
€ 3,435 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 2,77 | € 27,70 |
| 20 - 40 | € 2,30 | € 23,00 |
| 50 - 90 | € 2,19 | € 21,90 |
| 100 - 240 | € 2,14 | € 21,40 |
| 250+ | € 2,06 | € 20,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


