Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.8V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
78nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 112,00
€ 2,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 138,88
€ 2,778 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 112,00
€ 2,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 138,88
€ 2,778 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,24 | € 112,00 |
| 100 - 200 | € 2,14 | € 107,00 |
| 250 - 450 | € 1,98 | € 99,00 |
| 500 - 1200 | € 1,88 | € 94,00 |
| 1250+ | € 1,80 | € 90,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.8V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
78nC
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China


