Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.7mm
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 104,50
€ 2,09 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 129,58
€ 2,592 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 104,50
€ 2,09 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 129,58
€ 2,592 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,09 | € 104,50 |
100 - 200 | € 1,85 | € 92,50 |
250+ | € 1,59 | € 79,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.7mm
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος