Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 78,50
€ 1,57 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 97,34
€ 1,947 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 78,50
€ 1,57 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 97,34
€ 1,947 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,57 | € 78,50 |
100 - 200 | € 1,36 | € 68,00 |
250+ | € 1,31 | € 65,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος