Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1,38
€ 1,38 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,71
€ 1,71 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 1,38
€ 1,38 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,71
€ 1,71 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,38 |
| 10 - 49 | € 1,15 |
| 50 - 99 | € 1,10 |
| 100 - 249 | € 1,02 |
| 250+ | € 0,97 |

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor



