Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 65,00
€ 0,65 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 80,60
€ 0,806 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 65,00
€ 0,65 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 80,60
€ 0,806 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,65 | € 65,00 |
| 200 - 400 | € 0,63 | € 63,00 |
| 500+ | € 0,57 | € 57,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.29mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
3.37mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


