Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
6.3V
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,69
Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,096
Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
€ 1,69
Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,096
Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
100 - 100 | € 1,69 | € 169,00 |
200 - 400 | € 1,69 | € 169,00 |
500+ | € 1,61 | € 161,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
6.3V
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος