Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,27
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,81
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
€ 2,27
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,81
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 2,27 |
10 - 49 | € 2,19 |
50 - 99 | € 2,14 |
100 - 249 | € 2,07 |
250+ | € 2,02 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
5mm
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος