Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
-0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Package Type
HVMDIP
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.9nC
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Width
5 mm
Length
10.79mm
Height
8.38mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 31,00
€ 0,31 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 38,44
€ 0,384 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 31,00
€ 0,31 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 38,44
€ 0,384 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
-0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Package Type
HVMDIP
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.9nC
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Width
5 mm
Length
10.79mm
Height
8.38mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
Philippines


