Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 27,90
€ 2,79 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 34,60
€ 3,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ταινία)
10
€ 27,90
€ 2,79 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 34,60
€ 3,46 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ταινία)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
10 - 49 | € 2,79 |
50 - 99 | € 2,66 |
100 - 249 | € 2,53 |
250+ | € 2,40 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος