Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 16,45
€ 3,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,40
€ 4,08 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 16,45
€ 3,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,40
€ 4,08 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 45 | € 3,29 | € 16,45 |
50 - 245 | € 3,13 | € 15,65 |
250 - 495 | € 2,87 | € 14,35 |
500 - 1245 | € 2,74 | € 13,70 |
1250+ | € 2,61 | € 13,05 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος