Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

€ 101,75
€ 4,07 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 126,17
€ 5,047 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
€ 101,75
€ 4,07 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 126,17
€ 5,047 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 4,07 | € 101,75 |
| 50 - 100 | € 3,94 | € 98,50 |
| 125+ | € 3,58 | € 89,50 |

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor



