Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin IRFR210PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Mount Type
Surface, Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.5Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.2nC
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Width
6.73 mm
Length
6.22mm
Height
2.38mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 33,00
€ 0,44 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 40,92
€ 0,546 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
75
€ 33,00
€ 0,44 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 40,92
€ 0,546 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
75
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Mount Type
Surface, Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.5Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.2nC
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Width
6.73 mm
Length
6.22mm
Height
2.38mm
Standards/Approvals
No
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China

