Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 78,00
€ 0,78 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 96,72
€ 0,967 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 78,00
€ 0,78 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 96,72
€ 0,967 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,78 | € 7,80 |
| 250 - 490 | € 0,70 | € 7,00 |
| 500 - 990 | € 0,68 | € 6,80 |
| 1000+ | € 0,65 | € 6,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.8 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


