Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


